Name: ISSI IS61LV25616AL-10TL 4Mbit 256K x 16 High Speed SRAM 3.3V
Brand: ISSI
SKU: 64e1cb8807401300013eebd9
Price: 139.0 TWD
Availability: InStock

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ISSI IS61LV25616AL-10TL 4Mbit 256K x 16 High Speed SRAM 3.3V

4Mbit high speed CMOS static RAM for embedded systems and data buffering
256K x 16 | single 3.3V | 10/12ns access series | 3-state outputs | UB/LB byte control
Fully static operation, no clock or refresh needed

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商品簡介

ISSI IS61LV25616AL 是一款高速 4,194,304 位元靜態 RAM，組織為 262,144 個字 x 16 位元。它採用 ISSI 的高效能 CMOS 技術製造。這種高度可靠的製程與創新的電路設計技術相結合，產生了高性能和低功耗的設備。

當 CE 為高電位（取消選擇）時，元件採用待機模式，在該模式下，可透過 CMOS 輸入電平來降低功耗。

透過使用晶片啟用和輸出啟用輸入、CE 和 OE，可以輕鬆擴展記憶體。低電平有效的寫入使能 (WE) 控制記憶體的寫入和讀取。資料位元組允許高位元組（UB）和低位元組（LB）存取。

IS61LV25616AL 採用 JEDEC 標準 44 腳位 400-mil SOJ、44 腳位 TSOP II 型、44 腳 LQFP 和 48 腳迷你 BGA (8mm x 10mm) 封裝。

商品特徵：

高速存取時間：10、12 ns
CMOS 低功耗運行
低待機功耗：CMOS 待機功耗低於 5 mA（典型值）
TTL 相容介面電平
單3.3V電源
完全靜態操作：無需時鐘或刷新
三態輸出
高位元組和低位元組的資料控制
可用工業溫度
可提供無鉛產品

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IS61LV25616AL-10TL x 1