Name: PHD3055E N-Channel TrenchMOS MOSFET 60V 10.3A
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PHD3055E N-Channel TrenchMOS MOSFET 60V 10.3A

Standard level N-channel TrenchMOS MOSFET for DC-DC conversion and switching power supplies
Vdss 60V | Id 10.3A | Rds(on) 150mOhm @10V | Qg 5.8nC | Pd 33W
Operating temperature -55 to 175C

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商品簡介

這是一款標準電平 N 溝型增強模式場效電晶體（FET），採用塑膠封裝與 TrenchMOS 技術製成。其設計與品管標準專為運算、通訊、消費性電子與工業應用所開發。

商品特徵：

超低導通電阻，有效降低導通損耗
切換速度快，適用於高頻應用

應用範圍：

DC-DC 轉換器
開關式電源供應器（SMPS）

商品規格

汲極至源極電壓 (Vdss)	60 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	10.3 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	150mOhm @ 5.5A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	4V @ 1mA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (最大值)	±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	250 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	33W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)

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PHD3055E x 1