Name: Infineon IRF540NS N-Channel HEXFET Power MOSFET TO-263 100V 33A
Brand: Infineon
SKU: 64e1cb8707401300013ee6a1
Price: 42.0 TWD
Availability: InStock

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Infineon IRF540NS N-Channel HEXFET Power MOSFET TO-263 100V 33A

HEXFET N-channel power MOSFET for power conversion and motor drives
D2PAK (TO-263) SMD | VDS 100V | ID 33A | RDS(on) 44mOhm @10V | VGS +/-20V
Operating temperature -55 to +175C; through-hole version IRF540NL also available
Also known as: IRF540

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商品簡介

IRF540NS 為 Infineon 推出的先進 HEXFET® 功率 MOSFET，採用最新製程技術，實現極低導通電阻 (RDS(on))，並具備高速開關特性與強固結構，適用於高效率與高可靠度的電源應用。
其 D2Pak (TO-263) 表面黏著封裝，可支援大晶片尺寸，提供最高功率處理能力與最低導通電阻，並具備良好的散熱能力，適用於大電流場景，可在一般 SMD 應用中耗散高達 2.0W。另有 IRF540NL 插件版本，適合低外型需求的設計。

商品特徵：

先進製程技術
超低導通電阻
動態 dv/dt 評級
最高 175°C 工作溫度
高速切換
完全雪崩額定 (Avalanche Rated)
符合無鉛環保

商品規格

最大漏極電流 (ID @25°C)： 33A
最大漏源電壓 (VDS)： 100V
閘極臨界電壓 (VGSth)： 3V
最大閘極電壓 (VGS)： ±20V
最大導通電阻 (RDS(on) @10V)： 44mΩ
總閘電荷 (Qg, typ @10V)： 47.3nC
閘極-汲極電荷 (Qgd)： 14nC
耗散功率 (Ptot)： 3.8W
熱阻 (RthJC)： 1.1 K/W
操作溫度範圍： -55°C ～ +175°C
封裝： D2PAK (TO-263)，SMD 安裝
濕度敏感等級： MSL 1（最低敏感度）
極性： N 通道

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IRF540NS TO263-A x 1