Name: IRF540NS TO263-A
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IRF540NS TO263-A

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商品簡介

IRF540NS 為 Infineon 推出的先進 HEXFET® 功率 MOSFET，採用最新製程技術，實現極低導通電阻 (RDS(on))，並具備高速開關特性與強固結構，適用於高效率與高可靠度的電源應用。
其 D2Pak (TO-263) 表面黏著封裝，可支援大晶片尺寸，提供最高功率處理能力與最低導通電阻，並具備良好的散熱能力，適用於大電流場景，可在一般 SMD 應用中耗散高達 2.0W。另有 IRF540NL 插件版本，適合低外型需求的設計。

商品特徵：

先進製程技術
超低導通電阻
動態 dv/dt 評級
最高 175°C 工作溫度
高速切換
完全雪崩額定 (Avalanche Rated)
符合無鉛環保

商品規格

最大漏極電流 (ID @25°C)： 33A
最大漏源電壓 (VDS)： 100V
閘極臨界電壓 (VGSth)： 3V
最大閘極電壓 (VGS)： ±20V
最大導通電阻 (RDS(on) @10V)： 44mΩ
總閘電荷 (Qg, typ @10V)： 47.3nC
閘極-汲極電荷 (Qgd)： 14nC
耗散功率 (Ptot)： 3.8W
熱阻 (RthJC)： 1.1 K/W
操作溫度範圍： -55°C ～ +175°C
封裝： D2PAK (TO-263)，SMD 安裝
濕度敏感等級： MSL 1（最低敏感度）
極性： N 通道

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