Name: IRF730 TO-220
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IRF730 TO-220

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商品簡介

HEXFET® 技術是 Infineon 高階功率 MOSFET 晶體的核心。其高效率結構與特殊製程，讓元件同時具備極低導通電阻 (RDS(on))、高跨導能力 (transconductance)，以及優異的耐用性。
IRF730 不僅延續了 MOSFET 的固有優勢，例如電壓驅動控制、無二次擊穿、高速切換、可輕鬆並聯使用、電性參數溫度穩定，也進一步強化在各種應用中的可靠性。
此元件特別適合應用於交換式電源供應器、馬達控制器、逆變器、斬波器、音訊放大器與高能量脈衝電路。

商品特徵：

緊湊型塑膠封裝
高速切換
低驅動電流需求
可輕鬆並聯應用
無二次擊穿問題
優異的溫度穩定性

商品規格

漏極-源極電壓 (VDS)：400 V
持續漏極電流 (ID)：5.5 A（25 °C，機殼溫度）
峰值脈衝漏極電流 (IDM)：22 A
漏極導通電阻 (RDS(on))：約 0.8–1.0 Ω（VGS=10 V, ID≈3 A）
閘極臨界電壓 (VGS(th))：2.0 – 4.0 V
最大耗散功率 (Ptot)：約 75 W
操作溫度範圍 (TJ)：–55 °C ～ +150 °C

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IRF730 TO-220 x 1