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N-channel power MOSFET for power modules, converters and industrial power supplies
D2PAK (TO-263) | Vds 500V | Id 4.5A | Rds(on) 1.5 Ohm | Qg 38nC | Pd 74W
Operating temperature -55 to +150C, supports paralleling
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IRF830S TO-263-A 功率型 MOSFET 結合了快速切換、高可靠結構設計、低導通阻抗 與成本效益等特點,為電源設計者提供極具競爭力的解決方案。其採用 D²PAK(TO-263)表面黏著封裝,能容納更大晶片面積(最高支援 HEX-4 等級),在所有表面封裝中提供 最高功率承載能力與最低導通阻抗。
IRF830S 特別適用於高電流應用,內部導通阻抗低、散熱性能優異,在標準表面黏著條件下可散熱功率達 2.0 W,適合高密度電源模組、轉換器與工業電源控制。
商品特徵: