Name: IRL3803S TO263-A
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IRL3803S TO263-A

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商品簡介

第五代 HEXFET 技術由 International Rectifier 開發，透過先進製程大幅降低矽晶面積上的導通電阻（Rds(on)），並結合高速切換性能與堅固的結構設計，使 HEXFET 功率型 MOSFET 成為高效率與高可靠度的元件，適用於多種電源控制與開關應用。

IRL3803S 採用 D2Pak 表面黏著封裝，可支援至 HEX-4 晶粒尺寸，具備極低導通電阻與高功率處理能力，適用於大電流與高效率的表面黏著應用，最大可耗散功率達 2.0W。另有 IRL3803L 通孔版本，適用於低高度設計需求。

商品特徵：

邏輯電平驅動
採用先進製程技術（低 Rds(on)）
工作溫度高達 175°C
快速切換速度，適合高頻應用
完整雪崩耐受等級
符合無鉛環保規範

商品規格

汲極至源極電壓 (Vdss)	30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C	140 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)	4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs	6mOhm @ 71A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id	1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs	140 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)	±16V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds	5000 pF @ 25 V
FET 特點	-
功率耗散 (最大值)	3.8W (Ta)、200W (Tc)
工作溫度	-55°C ~ 175°C (TJ)

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