IPD06N03LA TO-252

商品簡介

IPD06N03LA 是一款 N 溝道功率 MOSFET，具備低導通電阻與優異的開關性能，適用於高頻 DC/DC 轉換器與電源管理應用。此元件支援邏輯電平驅動，具備出色的 FOM（Figure of Merit），可有效降低損耗並提升整體效率。具備優良的熱阻特性與高達 175°C 的工作溫度容忍度，亦通過 JEDEC 標準驗證，可靠性佳。適合應用於筆記型電腦主板、工業電源模組、馬達控制器與負載開關等多種高性能電路。

商品特徵：

• 適用於高頻 DC/DC 轉換器的理想選擇
• 通過 JEDEC 標準驗證，符合目標應用需求
• N 溝道 MOSFET
• 適用邏輯電平驅動
• 優異的閘極電荷 × 導通電阻乘積（FOM）性能
• 超低導通電阻（R_DS(on)）
• 優越的熱阻特性
• 可承受最高 175°C 操作溫度
• 支援 dv/dt 抗擾特性（開關抗干擾能力佳）

商品規格

• 額定電壓：V_DS = 25 V
• 最大電流： I_D = 50 A（Tc 下）
• 導通電阻：典型約 5.7 mΩ @ 30 A, V_GS = 10 V
• 最大功耗：83 W（Tc）
• 閘極電荷（Q_g）：典型 17nC，最大 22nC @ 5 V
• 時序響應：上升時間約 7.2 ns，下降時間約 29 ns
• 功能耐溫範圍：最高結溫 175 °C，最低可達 −55 °C
• 絕對最大閘極電壓：±20 V
• 電容值：
• 輸入電容 C_iss 約 2,093–2,783 pF
• 輸出電容 C_oss 約 800–1,064 pF

出貨清單

• IPD06N03LA TO-252 x 1