Name: IPD20N03L TO-252
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IPD20N03L TO-252

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區號：Md11-32
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商品簡介

IPD20N03L 為N-channel 功率 MOSFET，最高承受 30 V 漏極-源極電壓，典型 RDS(on) 約 20mΩ（VGS = 10 V）且具備高達 30A 的連續漏極電流能力。封裝為 TO-252（DPAK）形式，適合表面貼裝電路與功率模組應用。此元件特別適合高速開關電源、直流轉換器、馬達驅動與各類功率控制裝置，具優異低阻抗、低能量損耗與良好熱管理性能。

商品特徵：

N-channel MOSFET，30 V 漏極電壓範圍
典型 RDS(on) 約 20mΩ @ VGS = 10 V
高連續漏極電流能力（約 30A）
封裝為 TO-252（DPAK）適用於功率模組及貼片應用
高 dv/dt 耐受、Avalanche 能量標定、熱阻設計佳
適用於快速切換電源、DC-DC 轉換器、馬達驅動與功率控制電路

商品規格

FET 類型：N 通道
汲極至源極電壓 (Vdss)：30 V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C：30 A (Tc)
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On)：4.5V、10V
Rds On (最大值) @ Id、Vgs：20mOhm @ 15A、10V
Vgs(th) (最大值) @ Id：2V @ 25µA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：11 nC @ 5 V
Vgs (最大值)：±20V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds：700 pF @ 25 V
功率耗散 (最大值)：60W (Tc)
工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

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IPD20N03L TO-252 x 1