Name: MTW8N60E High Voltage Power MOSFET with Fast Recovery Diode
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MTW8N60E High Voltage Power MOSFET with Fast Recovery Diode

High voltage power MOSFET for power supplies, converters and PWM motor control
Specified avalanche energy | fast recovery drain-source diode | IDSS and VDS(on) specified at high temperature
Suited to bridge circuits; isolated mounting hole reduces mounting hardware

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商品簡介

此高壓 MOSFET 使用先進的端接方案來提供增強的電壓阻斷能力，而不會隨著時間的推移而降低性能。此外，這種先進的功率 MOSFET 設計用於承受雪崩和換向模式下的高能量。新的節能設計還提供具有快速恢復時間的漏源二極體。這些元件專為電源、轉換器和PWM 馬達控制中的高壓、高速開關應用而設計，特別適合二極體速度和換向安全工作區域至關重要的橋式電路，並針對意外電壓瞬變提供額外的安全裕度。

商品特徵：

穩健的高壓端接
規定的雪崩能量
源極至汲極二極體的恢復時間與分離式快速恢復二極體相當
二極體適合用於橋式電路
IDSS 和 VDS(on) 在高溫下指定
隔離安裝孔減少了安裝硬件

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