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ATtiny2313V 主要特性如下:
· 使用 AVR RISC 結構
· AVR – 高性能、低功耗的RISC 結構
– 120 條指令 – 大多數指令執行時間為單個時鐘週期
– 32 個8 位通用工作寄存器
– 全靜態工作
– 工作於20 MHz 時性能高達20 MIPS
· 資料與非易失性程式和資料記憶體
– 2K位元組的系統內可編程Flash
擦寫壽命: 10,000 次
– 128 位元組的系統內可編程EEPROM
擦寫壽命: 100,000 次
– 128 位元組的片內SRAM
– 可以對鎖定位元進行編程以及實現EEPROM 資料的加密
· 外設特點
– 具有獨立預分頻器及比較模式的8 位元元計時器/ 計數器
– 具有獨立預分頻器及比較、捕獲模式的16 位元元計時器/ 計數器
– 四路 PWM 通道
– 片內模擬比較器
– 具有片內振盪器的可編程看門狗計時器
– USI
– 全局串列介面
– 全雙工 USART
· 特殊的處理器特點
– debugWIRE 片上調試
– 通過SPI 埠在系統內可編程
– 片內/ 片外中斷源
– 低功耗空閒模式、掉電模式、Standby 模式
– 增強型上電復位
– 可編程的掉電檢測
– 片內標定振盪器
· I/O 和封裝
– 18可編程I/O 線
– 20引腳PDIP, 20 引腳 SOIC 與32 引腳MLF
· 工作電壓
– 1.8 - 5.5V (ATtiny2313V)
– 2.7 - 5.5V (ATtiny2313)
· 速度等級
– ATtiny2313V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V
– ATtiny2313: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V
· 功耗估計
– 正常模式:
1 MHz, 1.8V: 300 μA
32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振盪器)
– 掉電模式:
< 0.2 μA at 1.8V
ATtiny2313V 記憶體
|
|
---|---|
Flash ROM
| 2KB
|
SRAM
| 128B
|
SRAM
| 128B
|
ATtiny2313V 性能參數特性 |
|
工作頻率
| 0-10MHz (ATtiny2313V)
|
0-20MHz (ATtiny2313) | |
工作電壓
| 1.8-5.5V (ATtiny2313V)
|
2.7-5.5V (ATtiny2313) | |
I/O口
| 20個
|
16位計時器 / 計數器
| 1 |
8位計時器 / 計數器
| 1 |
PWM
| 4 |
RTC
| NO |
SPI
| USI |
UART
| 1 |
TWI
| USI |
10位ADC
| NO |
模擬比較器
| 1 |
WDT
| 1(帶獨立片內振盪器) |
外部中斷
| 2 |
睡眠模式
| 3種 |
硬體乘法器
| NO |
引腳電平中斷/喚醒功能
| YES |
片內振盪器
| YES |
掉電檢測
| YES |
上電復位
| YES |
ATtiny2313V 封裝與引腳數
|
|
PDIP
| 20PIN |
SOP
| 20PIN |
QFN / MLF
| 32PIN |
ATtiny2313V 編程與調試方式 |
|
編程方式
| ISP IAP H/PV |
仿真方式
| debugWIRE |