Name: ATtiny2313V-10SU SOP 20【限量】
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Price: 62.0 TWD
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ATtiny2313V-10SU SOP 20【限量】

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區號：Ma30-38
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商品簡介

· 使用 AVR RISC 結構

· AVR – 高性能、低功耗的RISC 結構：

120 條指令 – 大多數指令執行時間為單個時鐘週期
32 個8 位通用工作寄存器
全靜態工作
工作於20 MHz 時性能高達20 MIPS

· 資料與非易失性程式和資料記憶體

2K位元組的系統內可編程Flash，擦寫壽命: 10,000 次
128 位元組的系統內可編程EEPROM，擦寫壽命: 100,000 次
128 位元組的片內SRAM
可以對鎖定位元進行編程以及實現EEPROM 資料的加密

· 外設特點

具有獨立預分頻器及比較模式的8 位元元計時器/ 計數器
具有獨立預分頻器及比較、捕獲模式的16 位元元計時器/ 計數器
四路 PWM 通道
片內模擬比較器
具有片內振盪器的可編程看門狗計時器
USI
全局串列介面
全雙工 USART

· 特殊的處理器特點

debugWIRE 片上調試
通過SPI 埠在系統內可編程
片內/ 片外中斷源
低功耗空閒模式、掉電模式、Standby 模式
增強型上電復位
可編程的掉電檢測
片內標定振盪器

· I/O 和封裝

18可編程I/O 線
20引腳PDIP, 20 引腳 SOIC 與32 引腳MLF

· 工作電壓

1.8 - 5.5V (ATtiny2313V)
2.7 - 5.5V (ATtiny2313)

· 速度等級

ATtiny2313V: 0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V, 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V
ATtiny2313: 0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V, 0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V

· 功耗估計

正常模式: 1 MHz, 1.8V: 300 μA／32 kHz, 1.8V: 20 μA ( 包括振盪器)
掉電模式：< 0.2 μA at 1.8V

商品規格

ATtiny2313V 記憶體
Flash ROM	2KB
SRAM	128B
SRAM	128B
ATtiny2313V 性能參數特性
工作頻率	0-10MHz (ATtiny2313V)
工作頻率	0-20MHz (ATtiny2313)
工作電壓	1.8-5.5V (ATtiny2313V)
工作電壓	2.7-5.5V (ATtiny2313)
I/O口	20個
16位計時器 / 計數器	1
8位計時器 / 計數器	1
PWM	4
RTC	NO
SPI	USI
UART	1
TWI	USI
10位ADC	NO
模擬比較器	1
WDT	1（帶獨立片內振盪器）
外部中斷	2
睡眠模式	3種
硬體乘法器	NO
引腳電平中斷/喚醒功能	YES
片內振盪器	YES
掉電檢測	YES
上電復位	YES
ATtiny2313V 封裝與引腳數
PDIP	20PIN
SOP	20PIN
QFN / MLF	32PIN
ATtiny2313V 編程與調試方式
編程方式	ISP　IAP　H/PV
仿真方式	debugWIRE

出貨清單

ATtiny2313V-10SU SOP 20 x 1

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