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W25P80(8M 位元)和 W25P16(16M 位元)序列快閃記憶體為空間、引腳和功率有限的系統提供了儲存解決方案。它們非常適合代碼下載應用程式以及儲存語音、文字和數據。此元件採用 2.7V 至 3.6V 單電源供電,工作電流消耗低至 4mA,斷電電流消耗低至 1μA。裝置採用節省空間的 SOIC 封裝。作為串行閃存產品系列的一部分,華邦還提供 1M/2M/4M 位元密度的兼容設備。
W25P80/16 陣列分為 4,096/8,192 個可程式頁面,每個頁面 256 位元組。使用頁編程指令一次最多可以編程 256 個位元組。頁面分為 16/32 個可擦除磁區,每個磁區有 256 個頁(64K 位元組),如圖 2 所示。此外,還提供了 256 位元組參數頁,用於儲存通常儲存在 EEPROM 中的使用者數據,例如 ID 或修訂號以及配置參數。參數頁與主數組分開,允許更快的擦除時間。
串列週邊介面 (SPI) 由四個引腳(串列時脈、片選、串列資料輸入和串列資料輸出)組成,支援高達 50MHz 的高速串列資料傳輸。保持引腳、寫入保護引腳和可程式寫入保護功能提供了進一步的控制靈活性。此外,還可以查詢設備的製造商和設備類型。
Winbond W25P80/16 與先前的 NexFlash NX25P80/16 序列快閃記憶體完全相容。