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onsemi MMJT9435T1 PNP 功率電晶體 貼片 30V 3A

onsemi MMJT9435T1 PNP 功率電晶體 貼片 30V 3A

PNP 功率電晶體，適用於電源切換、負載驅動與一般開關電路
表面黏著｜VCEO 30V｜IC 3A｜hFE ≥125 @0.8A｜Pd 3W｜fT 110MHz｜6.5×3.5×1.57mm

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商品簡介


MMJT9435T1 是 onsemi 推出的 PNP 功率電晶體，採表面黏著封裝，適用於電源控制、負載切換與一般低頻放大電路。此元件具備 30V 的集極-射極維持電壓（VCEO），並能在較高集極電流下保持良好的電流增益表現。其低集極-射極飽和電壓特性能降低導通損耗，提升電源效率與散熱表現，適合用於電源模組、馬達控制、小型負載開關與驅動器等應用。


商品特徵：

  • PNP 功率電晶體（Power Transistor）
  • VCEO(sus)：30V @ IC = 10mA
  • 直流電流增益（hFE）：
    • ≥125 @ 0.8A
    • ≥90 @ 3.0A
  • 集極-射極飽和電壓（VCE(sat)）：
    • ≤0.275V @ 1.2A
    • ≤0.55V @ 3.0A
  • 適用於電源切換、負載驅動、一般開關電路



商品規格

  • 晶體管極性：PNP
  • 配置：Single
  • 集電極最大直流電流：3 A
  • 集電極-發射極最大電壓VCEO：30 V
  • 集電極-基極電壓VCBO：45 V
  • 發射機-基極電壓VEBO：6 V
  • 集電極-發射極飽和電壓：155 mV
  • Pd - 功率消耗 ：3 W
  • 增益帶寬積 fT：110 MHz
  • 工作溫度範圍：- 55 C ~ + 150 C
  • 連續集電極電流：1 A
  • 直流集電極/增益 hfe 最小值：125
  • 長 x 寬 x 高：6.5 x 3.5 x 1.57 mm



出貨清單

  • MMJT9435T1 SOT-23 x 1
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