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HEXFET® 技術是 Infineon 高階功率 MOSFET 晶體的核心。其高效率結構與特殊製程,讓元件同時具備極低導通電阻 (RDS(on))、高跨導能力 (transconductance),以及優異的耐用性。
IRF730 不僅延續了 MOSFET 的固有優勢,例如 電壓驅動控制、無二次擊穿、高速切換、可輕鬆並聯使用、電性參數溫度穩定,也進一步強化在各種應用中的可靠性。
此元件特別適合應用於 交換式電源供應器、馬達控制器、逆變器、斬波器、音訊放大器與高能量脈衝電路。
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