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AT49F1024 和 AT49F1025 是僅 5 伏特的系統內快閃記憶體。它們的 1 兆位元記憶體由 16 位元 65,536 個字組成。該元件採用 Atmel 先進的非揮發性 CMOS 技術製造,存取時間長達 35 ns,在商用溫度範圍內功耗僅 275 mW。當取消選擇此元件時,CMOS 待機電流小於 100 µA。 AT49F1024 和 AT49F1025 之間的唯一區別在於封裝。
為了實現簡單的系統內重新編程,AT49F1024/1025 不需要高輸入電壓進行編程。僅五伏特指令決定裝置的讀取和程式操作。從設備中讀取資料與從 EPROM 中讀取資料類似。對 AT49F1024/1025 的重新編程是透過擦除資料塊(整個晶片或主記憶體區塊)然後逐字編程來執行的。典型的字編程時間為 10 µs。資料輪詢功能可以選擇性地偵測程式週期的結束。一旦偵測到位元組編程週期結束,就可以開始新的讀取或程式存取。編程和擦除週期的典型數量超過 10,000 個週期。
可選的 8K 字引導區塊部分包括重新編程寫入鎖定功能,以提供資料完整性。引導磁區設計用於包含使用者安全代碼,當啟用此功能時,引導磁區將受到永久保護,免於擦除或重新編程。
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