AT45DB011B-SC

商品簡介

AT45DB011B 是一款僅需 2.7V 電源的序列介面 Flash 記憶體，非常適合應用於數位語音、影像、程式碼與資料儲存等多種應用。其容量為 1,081,344 位元，配置為 512 頁 × 264 位元組。除主記憶體外，另內建一組 264 位元組的 SRAM 資料緩衝區，允許在主記憶體分頁重新程式化時同時接收資料。其支援 EEPROM 模擬（位元或位元組可修改），可透過三步驟「讀取－修改－寫入」作業完成。

與傳統需多組位址線及平行介面的 Flash 不同，DataFlash 採用 SPI 串列介面進行循序存取，支援 SPI 模式 0 與模式 3。簡單的串列介面能簡化硬體設計、提升系統可靠度、降低切換雜訊並縮小封裝與針腳數。此元件專為商業與工業應用優化，特別適合需要高密度、低針腳數、低電壓與低功耗的場合。操作時最高時脈達 20 MHz，典型讀取電流僅 4 mA。

為簡化系統內重新程式化，AT45DB011B 不需高電壓輸入即可寫入，僅需單一 2.7V 至 3.6V 電源即可完成讀寫。元件透過片選（CS）啟用，並經由三線介面（序列輸入 SI、序列輸出 SO、序列時鐘 SCK）存取。

所有程式寫入週期均為自我定時，且無須在寫入前進行額外抹除。需要注意的是，元件出廠時記憶體中最高位址分頁可能未抹除，即最後一頁的內容不一定為 FFH。

商品特徵：

• 單一電源：2.7V – 3.6V
• 介面：相容 SPI 串列週邊介面
• 最高時脈：20 MHz
• 分頁寫入操作：
• 單循環重新程式（抹除＋寫入）
• 主記憶體共 512 頁（每頁 264 位元組）
• 支援分頁與區塊抹除操作
• 內建 264 位元組 SRAM 緩衝區
• 全區連續讀取能力（適用程式碼影射應用）
• 寫入效能：典型分頁寫入時間 7 ms
• 緩衝區傳輸效能：典型分頁至緩衝區傳輸時間 120 µs
• 低功耗：
• 典型讀取電流 4 mA
• CMOS 待機電流 2 µA
• 硬體資料保護功能
• 與 AT45DB011 完全相容
• 提供商業與工業級溫度範圍
• 符合綠色環保規範（Pb/Halide-free / RoHS）

商品規格

• 電源電壓：2.7V - 3.6V
• 有源讀取電流 - 最大值：10 mA
• 存儲類型：NOR
• 組織：128 k x 8
• 速度：20 MHz
• 數據匯流排寬度：8 bit
• 最高時鐘頻率：20 MHz
• 計時類型：Synchronous
• 工作溫度範圍：0°C ~ +70°C
• 濕度敏感：Yes

出貨清單

• AT45DB011B-SC x 1