SST28F040A【限量】

商品簡介

SST28SF/VF040A 是 512K x8 位元 CMOS 磁區擦除、位元組編程 EEPROM。 SST28SF/VF040A 採用 SST 專有的高效能 CMOS SuperFlash EEPROM 技術製造。與其他方法相比，分柵單元設計和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可製造性。 SST28SF/VF040A 使用單一電源進行擦除和編程。 SST28SF/VF040A 符合位元組寬記憶體的 JEDEC 標準引腳排列，並與現有業界標準快閃 EEPROM 引腳排列相容。

SST28SF/VF040A 具有高效能程式功能，通常可在 35 µs 內完成位元組程式設計。 SST28SF/VF040A 通常在 2 ms 內完成磁區擦除。程式設計和擦除時間都可以使用切換位元或資料#輪詢等介面功能來最佳化，以指示寫入週期的完成。為了防止意外寫入，SST28SF/VF040A 具有片上硬體和軟體資料保護方案。 SST28SF/VF040A 專為廣泛的應用而設計、製造和測試，確保扇區耐用性為 10,000 次循環。資料保留期限超過 100 年。

SST28SF/VF040A 最適合需要可重新編程的非揮發性大容量程式儲存、設定或資料記憶體的應用。對於所有系統應用，與軟碟或 EPROM 方法相比，SST28SF/VF040A 顯著提高了效能和可靠性，同時降低了功耗。快閃記憶體EEPROM技術使得程式碼和控製程式的線上更新變得方便、經濟。 SST28SF/VF040A 提高了靈活性，同時降低了程式和配置儲存應用的成本。

商品特徵：

• 單一電壓讀寫操作
  – 5.0V 僅適用於 SST28SF040A
  – SST28VF040A 為 2.7-3.6V
• 卓越的可靠性：100,000 次耐久性循環（典型值），資料保存超過 100 年
• 記憶體組織：512K x8
• 磁區擦除能力：每區 256 位元組
• 低功耗
  – 有功電流：5.0V 時為 15 mA（典型值），2.7-3.6V 為 10 mA（典型值）
  – 待機電流：5 µA（典型值）
• 快速磁區擦除/位元組程式設計操作
  – 位元組編程時間：35 µs（典型值）
  – 磁區擦除時間：2 ms（典型值）
  – 完整記憶體重寫：20 秒（典型）
• 快速讀取存取時間
  – 僅 5.0V 運行：90 和 120 ns
  – 2.7-3.6V 工作電壓：150 和 200 ns
• 鎖存位址和數據
• 7 個讀取週期序列軟體數據保護
• 寫入結束偵測
  – 切換位
  – 資料#輪詢
• TTL I/O 相容性
• JEDEC 標準的快閃記憶體 EEPROM 引腳佈局

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Datasheet

出貨清單

• SST28F040A x 1