{{ 'fb_in_app_browser_popup.desc' | translate }} {{ 'fb_in_app_browser_popup.copy_link' | translate }}
{{ 'in_app_browser_popup.desc' | translate }}
{{word('consent_desc')}} {{word('read_more')}}
{{setting.description}}
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{{ childProduct.title_translations | translateModel }}
{{ getChildVariationShorthand(childProduct.child_variation) }}
{{ getSelectedItemDetail(selectedChildProduct, item).childProductName }} x {{ selectedChildProduct.quantity || 1 }}
{{ getSelectedItemDetail(selectedChildProduct, item).childVariationName }}
產品貨號:3680105001729
區號:Md05-36,Kd01-01-A01-10
品牌:Vishay
原廠貨號:SI2305CDS-T1-GE3
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{{'products.quick_cart.out_of_number_hint'| translate}}
{{'product.preorder_limit.hint'| translate}}
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SI2305CDS-T1-GE3 是 Vishay 推出的 P 溝道 TrenchFET® 功率 MOSFET,採用小型 SOT-23 封裝,專為空間受限應用設計。此元件支援高達 –20 V 的汲極-源極電壓,具備穩定導通能力與快速切換特性,其低導通電阻特性可有效提升電源效率,降低熱損耗,特別適合應用在負載開關、DC/DC 轉換器與電池管理系統上,如攜帶式裝置與高整合度電源模組等使用。
商品特徵:
應用範圍:
| 通道模式: | Enhancement |
| 配置: | Single |
| 晶體管極性: | P-Channel |
| 通道數: | 1 Channel |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 8 V |
| Id - C連續漏極電流: | 5.8 A |
| Pd - 功率消耗 : | 1.7 W |
| Rds On - 漏-源電阻: | 35 mOhms |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 1 V |
| Qg - 閘極充電: | 12 nC |
| 工作溫度範圍: | - 55°C ~ + 150°C |
| 長 x 寬 x 高: | 2.9 x 1.6 x 1.45 mm |
| 上升/下降 時間: | 20 ns / 10 ns |
| 標準 開啟/斷開 延遲時間: | 20 ns / 40 ns |