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產品貨號:3680105001729
區號:Md05-36,Kd01-01-A01-10
品牌:Vishay
原廠貨號:SI2305CDS-T1-GE3
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SI2305CDS-T1-GE3 是 Vishay 推出的 P 溝道 TrenchFET® 功率 MOSFET,採用小型 SOT-23 封裝,專為空間受限應用設計。此元件支援高達 –20 V 的汲極-源極電壓,具備穩定導通能力與快速切換特性,其低導通電阻特性可有效提升電源效率,降低熱損耗,特別適合應用在負載開關、DC/DC 轉換器與電池管理系統上,如攜帶式裝置與高整合度電源模組等使用。
商品特徵:
應用範圍:
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
晶體管極性: | P-Channel |
通道數: | 1 Channel |
Vds - 漏-源擊穿電壓: | 8 V |
Id - C連續漏極電流: | 5.8 A |
Pd - 功率消耗 : | 1.7 W |
Rds On - 漏-源電阻: | 35 mOhms |
Vgs - 閘極-源極電壓: | - 8 V, + 8 V |
Vgs th - 門源門限電壓 : | 1 V |
Qg - 閘極充電: | 12 nC |
工作溫度範圍: | - 55°C ~ + 150°C |
長 x 寬 x 高: | 2.9 x 1.6 x 1.45 mm |
上升/下降 時間: | 20 ns / 10 ns |
標準 開啟/斷開 延遲時間: | 20 ns / 40 ns |