Name: SPW11N60C2 TO3P
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Price: 32.0 TWD
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SPW11N60C2 TO3P

產品貨號：3680105002214
區號：Md07-32
品牌：Infineon
原廠貨號：SPW11N60C2

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商品簡介

SPW11N60C2 為 Infineon 推出的高性能 N 通道功率型 MOSFET，採用 TO-3P 封裝，具備 600V 耐壓與 11A 最大漏極電流能力，導通電阻約 0.38Ω。搭載 CoolMOS™ 技術，具備超低閘極電荷、極低有效電容與高 dv/dt 耐受力，能有效降低開關損耗並提升效率。支援週期性雪崩耐受能力並強化雜訊抑制，適用於高壓電源模組、工業控制、照明電源、充電設備等高效能應用。TO-3P 封裝具優良散熱表現，適合搭配散熱片使用。

商品特徵：

採用全新革命性高壓技術
超低閘極電荷（Gate Charge）
支援週期性雪崩耐受能力（Periodic Avalanche Rated）
可承受極高的電壓變化率（dv/dt）
極低有效電容（低輸出電容與輸入電容）
雜訊抗干擾能力提升（Noise Immunity）

商品規格

耐壓 VDSS	600 V
連續漏極電流 ID	11 A（Tc = 25 °C）/ 7 A（Tc = 100 °C）(
脈衝漏極電流 ID(pulsed)	22 A
導通阻抗 RDS(on)	0.34 Ω typ / 0.38 Ω max @ VGS = 10 V, ID = 7 A
閘極電荷 Qg	約 41.5 nC
反向二極體導通電流 IS	11 A
電壓變化率 (dv/dt)	6 V/ns
雪崩額定	單脈衝 Eas = 340 mJ；重覆性 Ear = 0.6 mJ
最大功耗 Ptot	125 W（Tc = 25 °C）
工作溫度範圍	−55 °C 至 +150 °C

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