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IRF540NS 為 Infineon 推出的 先進 HEXFET® 功率 MOSFET,採用最新製程技術,實現極低導通電阻 (RDS(on)),並具備高速開關特性與強固結構,適用於高效率與高可靠度的電源應用。
其 D2Pak (TO-263) 表面黏著封裝,可支援大晶片尺寸,提供最高功率處理能力與最低導通電阻,並具備良好的散熱能力,適用於大電流場景,可在一般 SMD 應用中耗散高達 2.0W。另有 IRF540NL 插件版本,適合低外型需求的設計。
商品特徵: